FOUP 为工艺步骤之间的晶圆传送和存储提供封闭环境。 氮气吹扫有助于维持 FOUP 内部所需的保护气体环境,并防止其暴露于大气氧气重或被空气污染物。
挑战不仅仅在于降低氮气流量。 流量需要与吹扫工艺的要求相匹配,同时避免不必要的消耗。
因此,精确控制氮气流量与压力,对于确保气源供应能够可靠响应不断变化的工艺条件至关重要。
压电弯曲元件能够将电压转换为精确的机械运动, 因此压力或流量能够连续且精确地调节,同时仅需极少的电能。
比例压力调节阀 VEAD 和 质量流量控制器 VEFC 利用这一原理控制氮气等惰性气体。 凭借精确调节、快速响应和低颗粒物排放等特定,它们非常适合敏感的半导体应用。
恒定或高流量通常会提供超过实际需求的氮气量。 基于压电的控制可将氮气流量更精确地调节到满足工艺实际所需的水平。
在 Festo 的一项示例计算中,经过调节的流量将每个 FOUP 的吹扫速率从 20 降至 5 SLPM,相当于最多减少 75%。 实际节省效果取决于工艺要求与运行条件。
当应用需要满足以下条件时,基于压电技术的压力或流量控制尤为适用:
FOUP 吹扫是更广泛的半导体生产环境中的一环。 相关的自动化要求取决于设备与工艺区域。
对于涉及沉积、蚀刻、离子注入及相关晶圆加工设备的应用,请点击了解半导体生产中的高真空工艺。
对于常压工艺环境中的 FOUP 吹扫及其他氮气吹扫应用,请点击了解 半导体生产中的常压工艺。